4月21日，英特尔透露了有关2025 VLSI研讨会中最新Intel 18A过程的更多详细信息。最新数据显示，英特尔18A提供具有高性能（HP）和高密度（HD）的图书馆，具有全面的技术设计功能，并提高了设计易用性。与PPA（性能，电力消耗，面积）相比，Intel 18A的速度增加了25％，使用标准ARM架构的芯片降至1.1V，功率降低了36％。此外，英特尔18A的使用率比英特尔3更高，这意味着该过程可以在该区域实现更高的效率，并且具有更高的密度设计的潜力。英特尔官方网站先前发布的信息显示，英特尔18A使用corbbonfet环绕门晶体管（GAA）U Technologyit是为了实现准确的当前控制，这也导致了使用该行业Powervia电源的第一技术。英特尔还显示了一个描述的电压下降图高性能条件下的节点，由于英特尔18A电源技术，可以提供更稳定的电源传输。比较表明，通过反击技术，英特尔获得了更轻的包装单元并提高了该区域的效率，主要是因为它比面对接线的空间更多。到今天，信息的判断已经揭示了，如果收益率没有问题，英特尔18A过程将是TSMC 2NM过程的强大竞争对手。该市场预计，英特尔18A将首先应用于Panther Lake Soc和森林森林森林的裂口，并有望在2026年之前看到终端产品的出现。